Silikon karbid ishlab chiqarish sanoati
bilan solishtirgandakremniyga asoslanganyarimo'tkazgich materiallari, silikon karbid (SiC) bilan ifodalangan uchinchi avlod yarimo'tkazgich materiallari yuqori parchalanish elektr maydoni, yuqori to'yingan elektron drift tezligi va yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi kabi ko'plab afzalliklarga ega.
Silikon karbid quvvat qurilmalari asosan yangi energiya vositalari, fotovoltaik energiyani saqlash, temir yo'l tranziti va boshqa sohalarda, ayniqsa transport vositalari sohasida yuqori quvvatli sohalarda qo'llaniladi. Kelgusi bir necha yil ichida bortdagi asosiy invertorlar va zaryadlovchi modullar kabi ilovalar yuqori tezlikda o'sishda davom etadi.
Hozirgi vaqtda mahalliy korxonalar kremniy karbid sanoat zanjiriga kirishni tezlashtirdi va kapital xarajatlar jadallashib, sanoat zanjirining barcha bo'g'inlarining tez o'sishiga olib keldi.
Yole hisobotiga ko'ra, kremniy karbidli quvvat qurilmalarining bozor hajmi 2027 yilda 6 milliard dollardan oshadi, yillik o'sish sur'ati 30 foizdan oshadi.
Silikon karbid asosidagi quvvatQurilma sanoati zanjiri asosan yuqori oqim kremniy karbid substrat tayyorlash, epitaksial qatlam o'sishi, o'rta oqim qurilmalarini ishlab chiqarish va quyi oqimdagi dastur bozorlarini o'z ichiga oladi.
Substratni tayyorlash jarayoni asosan yuqori toza uglerod kukuni va yuqori toza kremniy kukunini silikon karbid kukuniga sintez qilishdan iborat. Maxsus harorat maydoni ostida jismoniy bug 'o'tkazish usuli (PVT usuli) asosan turli o'lchamdagi silikon karbid kristalli ingotini etishtirish uchun ishlatiladi va silikon karbid substrati bir nechta jarayonlardan so'ng ishlab chiqariladi.
Epitaksial aloqa asosan kremniy karbid substratida bo'ladi va epitaksial qatlam substrat yuzasida kimyoviy bug 'cho'ktirish (CVD) usuli bilan hosil bo'ladi.
Ular orasida kremniy karbid epitaksial plitasi silikon karbid epitaksial qatlamini Supero'tkazuvchilar kremniy karbid substratida o'stirish orqali tayyorlanadi, u keyinchalik quvvat qurilmalariga aylantirilishi va yangi energiya vositalari, fotovoltaik, temir yo'l tranziti, aqlli tarmoq, aerokosmik va boshqa sohalarda qo'llanilishi mumkin. Silikon asosidagi galyum nitridi (GaN-on-SiC) epitaksial varaq yarim izolyatsiyalangan kremniy karbid substratida galyum nitridi epitaksial qatlamini o'stirish orqali tayyorlanadi, uni keyinchalik mikroto'lqinli chastotali qurilmalarda tayyorlash va 5G aloqa sohalarida qo'llash mumkin.
Silikon karbid qurilmalarini ishlab chiqarish xarajatlari tarkibidan substrat narxi eng katta bo'lib, 47% ni tashkil qiladi; Ikkinchisi - kengaytirilgan xarajat, 23% ni tashkil qiladi. Bu ikki jarayon SiC qurilmalarining muhim komponentlari hisoblanadi.
Issiq teglar: silikon karbid ishlab chiqarish sanoati, Xitoy silikon karbid ishlab chiqarish sanoati ishlab chiqaruvchilari, etkazib beruvchilar
Bizningkompaniyahar xil turdagi mahsulotlarni yetkazib beradi. Yuqori sifat va qulay narx. Biz sizning so'rovingizni olishdan mamnunmiz va imkon qadar tezroq qaytib kelamiz. Menejment uchun "birinchi navbatda sifat, birinchi navbatda xizmat ko'rsatish, doimiy takomillashtirish va mijozlarni qondirish uchun innovatsiyalar" tamoyiliga sodiqmiz va sifat maqsadi sifatida "nol nuqson, nol shikoyat". Xizmatimizni mukammal qilish uchun biz mahsulotlarni o'rtacha narxda sifatli ta'minlaymiz.
O'tga chidamli &Abraziv xom ashyo& Ferro qotishmasi:
Jigarrang eritilgan alumina, Oq eritilgan alyuminiy oksidi, oq jadvalli alyuminiy oksidi, qora kremniy karbid, eritilgan mullit, boksit, eritilgan magnesiya, o'lik kuygan magneziya, kalsinlangan alyuminiy oksidi va boshqalar.Qotishma: Yuqori o'rta-past uglerodli temir marganets, yuqori uglerodli temir xrom, past karbonli temir xrom, kremniy marganets, temir kremniy, silikon metall, marganets metall, yadroli simlar, incoulants va boshqalar.
Sizga ham yoqishi mumkin
So'rov yuborish
